一、IGBT的定義絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT，是近年來(lái)高速發(fā)展的新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷功率器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，其單體或模塊主要應(yīng)用于UPS、電焊機(jī)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等大功…

七．雪崩特性這些參數(shù)是MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)能承受瞬時(shí)過(guò)壓能力的指標(biāo)。如果電壓超過(guò)漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)，這個(gè)強(qiáng)度是由外殼溫度為25 ? C時(shí)漏極接非鉗位電感，器件非重復(fù)關(guān)斷所能承受的能量來(lái)定義的。圖7.1IRFB11N50A datasheet section 8這個(gè)能量水平在外殼溫度越高時(shí)越小。非重復(fù)意味著電路不應(yīng)設(shè)計(jì)成使功率…

六．動(dòng)態(tài)參數(shù)圖6.1IRFB11N50A datasheet section 7如圖6.1，這組數(shù)據(jù)給出了結(jié)溫25度時(shí)的動(dòng)態(tài)參數(shù)，這些參數(shù)反應(yīng)了器件在應(yīng)用時(shí)的真實(shí)狀態(tài)。這些動(dòng)態(tài)參數(shù)是相輔相成的，有很多的內(nèi)在聯(lián)系，但大致可以分為四類(lèi)：跨導(dǎo)，電容，電荷以及開(kāi)關(guān)時(shí)間。對(duì)于高壓器件來(lái)說(shuō)，其最高的開(kāi)關(guān)頻率為100kHz，此時(shí)電容參數(shù)對(duì)它很重要。對(duì)于低壓…

五．靜態(tài)參數(shù)圖5.1IRFB11N50Adatasheet section 6這里給出了結(jié)溫25度時(shí)的靜態(tài)參數(shù)，這些參數(shù)常出現(xiàn)在各類(lèi)測(cè)試數(shù)據(jù)報(bào)告中，是必測(cè)的參數(shù)之一。1．漏源擊穿電壓V(BR)DSS：這個(gè)參數(shù)就是我們常說(shuō)的BVDSS，是指柵源電壓VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓，也就是漏源間寄生二極管的反向擊穿電壓。一般定義為漏電…

一. 器件標(biāo)稱(chēng)及應(yīng)用說(shuō)明圖1. IRFB11N50Adatasheet section 2Datasheet開(kāi)篇一般都會(huì)給出本器件的性能標(biāo)稱(chēng)，即額定電流，額定電壓及最大RDS(ON)值。此外，還會(huì)結(jié)合本器件的性能特點(diǎn)，給出適合的應(yīng)用領(lǐng)域。這里給出的應(yīng)用領(lǐng)域是開(kāi)關(guān)模式電源支持（SMPS），不間斷電源(UPS)及高速電源開(kāi)關(guān)。二. 器件特點(diǎn)及封裝形式圖2.IRFB11N50…

一、VDMOSFET器件基本工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）在過(guò)去十幾年里，引發(fā)了電源工業(yè)的革命，大大促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。其中又以功率垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power Vertical Double diffused MOSFET）近年來(lái)的發(fā)展最應(yīng)人注目。功率VDMOSF…